三星已向其供应链传达消息，多款基于1y nm（第二代10nm级别）工艺制造的DDR4产品本月即将停产，以及1z nm（第三代10nm级别）工艺制造的8Gb LPDDR4也将进入EOL阶段。与此同时，美光已通知客户将停产服务器用的旧版DDR4模块，而SK海力士也被传将DDR4产能削减至其生产份额的20%。这意味着内存制造商正加速产品过渡，把更多资源投向HBM和DDR5等高端产品。ddr4和ddr5的区别· 带宽速度：DDR4带宽为25.6GB/s，DDR5带宽为32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度为
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DDR4 DDR5 三星 SK海力士 内存 HBM
4月23日晚间，澜起科技披露一季报，2025年第一季度实现营业收入12.22亿元，同比增长65.78%；净利润5.25亿元，同比增幅达135.14%；扣非后净利润为5.03亿元，同比增长128.83%。澜起科技目前拥有互连类芯片和津逮®服务器平台两大产品线。该季度，澜起科技互连类芯片产品线销售收入为11.39亿元，同比增长63.92%；津逮®服务器平台产品线销售收入为0.8亿元，同比增长107.38%。对于业绩大幅增长原因，澜起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市场成长强劲，高效运算（H
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澜起科技 DDR5 存储
2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字节）产品的客户验证，是基于CXL* 2.0标准的DRAM解决方案产品。SK海力士表示：“将此产品应用于服务器系统，相较于现有的DDR5模组，其容量增长了50%，宽带扩展了30%，可处理每秒最多36GB的数据。该产品有望显著降低客户在构建并运营数据中心时所需的总体拥有成本*。”继96GB产品验证，公司正在与其他客户开展128GB产品的验证流程。该产品搭载第五代10纳米级（1b）32Gb
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SK海力士 CXL 2.0 DDR5 数据中心存储
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量双列直插式内存模块（MRDIMM）的完整内存接口芯片组解决方案。人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和其它数据中心应用对内存带宽的要求不断提高，这就需要新的DDR5 MRDIMM。它们的运行速度高达每秒12,800兆次传输（MT/s）；与第一代解决方案相比内存带宽提高1.35倍。瑞萨与包括CPU和内存供应商在内的行业领导者以及终端客户合作，在新型MRDIMM的设计、开发与部署方面发挥了关键作用。瑞萨设计并推出三款全新关键组件：RRG
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瑞萨 DDR5 MRDIMM 内存接口芯片组
10 月 30 日消息，芝奇国际今日宣布再度刷新内存频率超频世界纪录，由华硕 ROG 极限超频者 SAFEDISK 上传的成绩，通过液态氮极限超频技术，创下 DDR5-12112 的超频纪录。该纪录使用的是芝奇 Trident Z5 旗舰系列 DDR5 内存，搭配最新英特尔酷睿 Ultra 9 285K 处理器及华硕 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附图如下：此成绩已上传至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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芝奇 内存 DDR5
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于近日宣布推出两款内置时钟驱动器的全新类型内存，即 Crucial® 英睿达™ DDR5 时钟驱动器无缓冲双列直插式内存模块 (CUDIMM) 和时钟驱动器小型双列直插式内存模块 (CSODIMM)，并已开始批量出货。这两款全新内存均符合 JEDEC 标准，运行速度高达 6,400MT/s，是 DDR4 的两
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美光 时钟驱动器 DDR5
IT之家 9 月 4 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子 MX 部门 8 月向 DS 部门表达了对面向 Galaxy S25 系列手机的 1b nm （IT之家注：即 12nm 级） LPDDR 内存样品供应延误的担忧。三星电子于 2023 年 5 月启动 1b nm 工艺 16Gb DDR5 内存量产，后又在当年 9 月发布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在内部推进 1b nm LPDDR 移动内存产品的开发工作。然而该韩媒此前就在今年 6 月
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三星 内存 DDR5
2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。SK海力士强调：“随着10纳米级DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c
DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”公司以1b DRAM
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SK海力士 第六代 10纳米级 DDR5 DRAM
随着游戏要求越来越高，DDR4 和 DDR5 内存之间的差距不断扩大。
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DDR4 DDR5
人工智能AI浪潮下，以HBM为代表的新型DRAM存储器迎来了新一轮的发展契机，而与此同时，在服务器需求推动下，存储产业的另一大“新宠”MRDIMM/MCRDIMM也开始登上“历史舞台”。当前，AI及大数据的快速发展带动服务器CPU内核数量同步增加，为满足多核CPU中各内核的数据吞吐要求，需要大幅提高内存系统的带宽，在此情况下，服务器高带宽内存模组MRDIMM/MCRDIMM应运而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM标准细节当地时间7月22日，JEDEC宣布即将推出DDR5多路复用双列直插式内存模组
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存储产业 HBM MRDIMM MCRDIMM
美光科技股份有限公司近日宣布，已出样多路复用双列直插式内存模块（MRDIMM）。该款 MRDIMM 将赋能美光客户应对日益繁重的工作负载，从而最大化计算基础设施的价值。对于需要每个 DIMM 插槽内存超过 128GB 的应用，美光 MRDIMM 提供最高带宽、最大容量、最低延迟以及更高的每瓦性能，在加速内存密集型虚拟化多租户、高性能计算和 AI 数据中心工作负载方面，表现优于当前的 TSV RDI
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美光 MRDIMM 低延迟主存 数据中心
近日，美光科技宣布在业界率先验证并出货基于大容量32Gb单块DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM内存，其速率在所有主流服务器平台上均高达5600MT/s。据介绍，该款128GB DDR5 RDIMM内存采用美光行业领先的1β（1-beta）制程技术，相较于采用3DS硅通孔（TSV）技术的竞品，容量密度提升45%以上，1能效提升高达22%，2延迟降低高达16%1。该款高速率内存模组特别针对数据中心常见的任务关键型应用，包括人工智能（AI）和机器学习（ML）、高性能计算（HPC）、内存数据库（IMD
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DRAM芯片 美光科技 DDR5
5月6日消息，供应链爆料称，SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价，涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价，三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示，三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元，环比增长11%，同比暴涨96%，在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示，一季度存储市场总体需求强劲，特别是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上涨
4 月 27 日消息，Ampere Computing 公司首席产品官 Jeff Wittich 近日接受采访时表示，将于今年晚些时候推出 AmpereOne-2，配备 12 个内存通道，改进性能的 A2 核心。AmpereOne-2 的 DDR5 内存控制器数量将增加 33%，内存带宽将增加多达 50%。此外该公司目前正在研究第三代芯片 AmpereOne-3 ，计划在 2025 年发布，拥有 256 个核心，采用台积电的 3nm（3N）工艺蚀刻。附上路线图如下：AmpereOne-3 将采用改进后的
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AmpereOne-3 芯片 256核 PCIe 6.0 DDR5
2 月 5 日消息，据报道，三星将在即将到来的 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。除了之前公布的 GDDR7 内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 内存芯片。这款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的 DDR5 芯片的信息，但我们知道，这款 DDR5 的 I / O 速度高达每个引
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三星 32Gb DDR5 内存芯片
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